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タンタル 磁気メモリー素子 下地 原子拡散 電圧磁化制御効率に関連した画像-01
12021/07/21(水) 19:40:17.29ID:IGtubg3v9.net

原子層制御により磁気メモリー素子の平坦性および磁気安定性を改善
次世代不揮発性磁気抵抗メモリーMRAMの開発を加速

・原子層レベルで制御されたタンタルを下地に用いることで磁気記憶層を平坦化することに成功
・磁気安定性および電圧磁化制御効率の劣化要因となる原子拡散を抑制
・超低消費電力な次世代磁気抵抗メモリーMRAMの実現に期待
2021/7/21
https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2021/pr20210721/pr20210721.html

MRAMは微細化とは異なる手法で従来の50分の1以下の消費電力や高速動作を実現。研究開発は日本勢が先行しているとしている。
2021/7/20
https://finance.yahoo.co.jp/news/detail/20210720-00935704-fisf-stocks

消費電力50分の1 次世代メモリー「MRAM」普及へ

電子が持つ磁石の性質(スピン)を利用した「磁気記録式メモリー(MRAM)」が普及期を迎えている。東北大学の研究を起点に、ソニーグループなどが技術開発を進める。
「技術の『死の谷』を越えた」。東北大の遠藤哲郎教授はMRAMの技術開発の現状をこう表現する。
2021/7/19
https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUC30BU00Q1A630C2000000/

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